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一种ＣＭＯＳ图像传感器及其制造方法，包括：第一浅沟槽隔离层和第二浅沟槽隔离层，形成在外延层中预定区域的两侧；多晶硅栅极，与所述第一浅沟槽隔离层、第二浅沟槽隔离层相接触，形成在所述外延层的所述预定区域之上；以及多个沟道，形成在所述外延层中，位...
该专利属于东部高科股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东部高科股份有限公司授权不得商用。

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