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公开了穿过晶片的互连及其制造方法。该方法以导电晶片（３００）开始以通过去除该导电晶片的材料来形成图案化沟槽。图案化沟槽在深度上从晶片的正面延伸到背面，并具有将导电晶片大致分成内部和外部的环形开口，由此导电晶片的内部与外部绝缘并用作穿过晶片的...
该专利属于科隆科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过科隆科技公司授权不得商用。

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