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本发明揭示一种等离子清洁方法，其对于在溅镀沉积之前从一具有高碳含量的多孔性低ｋ介电质移除光阻与氧化物残余物是特别有用。一远程等离子源（５２）产生一主要为氢自由基Ｈ↑［＊］的等离子。氢压力可以被维持非常低，例如３０ｍｉｌｌｉＴｏｒｒ。选择性地...
该专利属于应用材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料股份有限公司授权不得商用。

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