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本发明公开了一种增加电荷载流子迁移率的电结构及其制造方法。所述方法包括在半导体衬底上形成Ｎ型场效应晶体管器件和Ｐ型场效应晶体管器件；在所述Ｎ型场效应晶体管上方形成压应力膜，以便在与所述Ｎ型场效应晶体管器件相关的第一沟道中施加拉应力；并且在所...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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