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一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供一衬底，该衬底在其一个主表面上具有至少一个凹口部分，并且通过在截面上形成将凹口部分的底面作为底边的三角形的状态，生长第一氮化物基Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层，从而掩埋凹口部分；在衬底上从第一氮化物基Ⅲ－Ⅴ...
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