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本发明提供相变存储装置包括：基板；第一电极层，形成于基板上；第一相变存储结构，形成于第一电极层上，且电连接至第一电极层；第二相变存储结构，形成于第一相变存储结构上，且电连接至第一相变存储结构，其中第一或第二相变存储结构包括：杯形加热电极，设...该专利属于财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司授权不得商用。