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粒子半导体材料的掺杂制造技术
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文档序号:3173311
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本发明涉及一种掺杂半导体材料的方法。本质上,所述方法包括将一定量的粒子半导体材料与离子盐或离子盐制剂混合。优选地,该粒子半导体材料包含尺寸在1nm至100μm范围内的纳米粒子。更优选地,该粒度在50nm至500nm的范围内。优选的半导体材料...
该专利属于开普敦大学所有,仅供学习研究参考,未经过开普敦大学授权不得商用。
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