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形成在铁电电容器的下部电极下方的自取向膜与其下方的导电性插头之间，形成厚度为１０ｎｍ以下的薄氧化铝膜，并阻断导电性插头中的晶粒取向对所述自取向膜的影响，还在所述氧化铝膜上形成薄的氮化膜，从而避免发生如下的问题，即，自取向膜中的金属元素被氧化...
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