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本发明涉及棋盘式高电压垂直晶体管布局。在一个实施例中，将制造于半导体管芯上的晶体管布置成细长晶体管段的部分。所述部分基本跨越半导体管芯设置成行和列。行或列中的相邻部分被取向成使得所述相邻部分的第一个中的晶体管段的长度沿第一方向延伸，并且所述...
该专利属于电力集成公司所有，仅供学习研究参考，未经过电力集成公司授权不得商用。

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