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本发明提供了一种不经历结构相变，保持均匀薄膜，并且能够执行高速切换操作的存储器件，并且还提供了所述存储器件的操作方法。所述存储器件包括衬底、突跃ＭＩＴ材料层和多个电极。所述突跃ＭＩＴ材料层设置在所述衬底上，并且通过电子之间的能量变化而经历突...
该专利属于韩国电子通信研究院所有，仅供学习研究参考，未经过韩国电子通信研究院授权不得商用。

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