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提供了一种使用具有低熔点和高结晶速度的相变材料的相变存储装置及其制作方法。该相变存储装置包括锑（Ｓｂ）－硒（Ｓｅ）硫族化物Ｓｂ↓［ｘ］Ｓｅ↓［１００－ｘ］相变材料层，该Ｓｂ↓［ｘ］Ｓｅ↓［１００－ｘ］相变材料层接触通过孔露出的热发生电极层并...
该专利属于韩国电子通信研究院所有，仅供学习研究参考，未经过韩国电子通信研究院授权不得商用。

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