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评估键合晶片的方法技术
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文档序号:3172628
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一种无需绝缘膜而通过直接键合活化层晶片和支持衬底晶片并减薄活化层晶片所形成的键合晶片用包含下列步骤的方法进行评估:从键合晶片中的活化层表面上除去自生氧化物;用对构成晶片的材料的蚀刻速率快于对所述材料氧化物的蚀刻速率的蚀刻液体使键合晶片经受蚀...
该专利属于胜高股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过胜高股份有限公司授权不得商用。
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