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本发明公开了一种中性ｐＨ条件双电位阶跃电沉积制备铜铟硒薄膜的方法，步骤为：（１）配制电沉积液，ｐＨ值为６．５－７．０；（２）采取双电位阶跃方式镀膜；（３）将薄膜于空气下室温干燥；（４）将薄膜于氩气氛下４００℃热处理０．５小时，得到黄铜矿结构...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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