温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

公开了在碳化硅层上形成氧化层的方法，包括将碳化硅层放置在基本没有金属杂质的腔室中；将腔室的大气加热到大约５００℃到大约１３００℃的温度；在腔室中引入原子氧；以及使原子氧流过碳化硅层的表面，从而在碳化硅层上形成氧化层。在一些实施例中，引入原子...
该专利属于克里公司所有，仅供学习研究参考，未经过克里公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。