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一种功率半导体器件，该器件包括：　　　　半导体主体，该半导体主体包括：　　　　活动区，该活动区包括ＰＮ结；以及　　　　终止区，该终止区围绕所述活动区布置，该终止区包括：　　　　形成在所述半导体主体上的场绝缘体；　　　　形成在所述场绝缘体上的...
该专利属于国际整流器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际整流器公司授权不得商用。

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