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本发明公开了一种用氧化物填充扩展沟槽栅超结ＭＯＳＦＥＴ及其制造方法，包括沟槽型的多晶硅栅极、栅氧化层及栅氧化层两侧的ｐ－Ｗｅｌｌ区，ｐ－Ｗｅｌｌ区内设置有ｎ↑［＋］源区；多晶硅栅极的正下方设有扩展沟槽，槽内有填充氧化物；在填充氧化物的两侧、...
该专利属于西安理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安理工大学授权不得商用。

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