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本发明涉及一种碳化硅半导体装置的制造方法。本发明公开了一种具有高可靠性和更长的针对栅极氧化膜的ＴＤＤＢ的寿命的ＭＯＳ型ＳｉＣ半导体装置。该半导体装置包括ＭＯＳ（金属氧化物半导体）结构，ＭＯＳ结构具有碳化硅（ＳｉＣ）衬底、多晶硅栅电极、插入在...
该专利属于日产自动车株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日产自动车株式会社授权不得商用。

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