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本发明涉及一种高亮度近红外发光二极管及其制备方法，该发光二极管包括自下到上依次设置有N型欧姆接触层、介质膜窗口层、制备好的外延片、P型欧姆接触层和P型电极，所述介质膜窗口层上设置有窗口层图案。在n型GaAs衬底和N型欧姆接触层之间设置介质膜...
该专利属于山东浪潮华光光电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东浪潮华光光电子股份有限公司授权不得商用。

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