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Ｎ型硅表面区域选择性电化学沉积铜微结构的制备方法，涉及一种硅表面的微加工技术。提供一种低成本、加工步骤简单、加工速度快且无需掩模光刻等复杂工艺，并可一次性在ｎ型硅表面直接生长金属微结构的Ｎ型硅表面区域选择性电化学沉积铜微结构的制备方法。将原...
该专利属于厦门大学所有，仅供学习研究参考，未经过厦门大学授权不得商用。

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