温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

大尺寸非极性面ＧａＮ自支撑衬底制备方法，在ＨＶＰＥ生长系统中将铝酸锂衬底放入反应器中后，先生长缓冲层。温度为５００－８００℃，然后升温至生长温度开始生长ＧａＮ，生长温度１０００－１１００℃。生长至合适的厚度后，停止生长；冷却后获得完整的自支...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。