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本发明提供一种具有双功函数转移栅极器件的ＣＭＯＳ有源像素传感器（ＡＰＳ）单元结构及其制造方法。转移栅极器件包括形成于基片上的电介质层以及形成于电介质层上的双功函数栅极导体层，该双功函数栅极导体层包括第一导电类型掺杂区和接邻的第二导电类型掺杂...
该专利属于国际商业机器公司;伊士曼柯达公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司;伊士曼柯达公司授权不得商用。

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