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本发明提供一种用于铜互连的导电阻挡层材料，由硅衬底、导电阻挡层组成，其特征在于：导电阻挡层材料是采用磁控溅射法在硅衬底基体上生长非晶态Ｔｉ－Ａｌ二元合金薄膜，然后在Ｔｉ－Ａｌ二元合金薄膜上原位生长Ｃｕ薄膜制成。本发明利用Ｔｉ－Ａｌ材料同Ｓｉ...
该专利属于河北大学所有，仅供学习研究参考，未经过河北大学授权不得商用。

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