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多向共用像素上的高动态范围/抗溢出共同栅极制造技术
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文档序号:3171210
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本发明在各种示范性实施例中提供一种具有多个像素单元的像素阵列架构,其中所述像素单元具有共用的像素单元组件。所述像素架构增加潜在的填充因数,且进而增加像素阵列的量子效率。所述共同像素组件可由所述阵列中的许多像素共用,且可包括用于提供所述像素的...
该专利属于美光科技公司所有,仅供学习研究参考,未经过美光科技公司授权不得商用。
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