温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体器件，所述半导体器件包括半导体衬底，位于半导体衬底上的栅极介电层、位于栅极介电层上的栅极，以及半导体衬底内位于栅极沟道层两侧的源极和漏极。本发明半导体器件的特征在于衬底上的栅极沟道层与两侧的源极和漏极的主要带电离子为相同型态，无需...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。