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在不执行间隔物蚀刻的情况下形成间距倍增工艺中的间隔物（１７５）。而在衬底（１１０）上形成心轴（１４５），且接着使所述心轴（１４５）的侧面在例如氧化、氮化或硅化步骤中反应以形成可相对于所述心轴（１４５）的未反应部分选择性地移除的材料。选择性地...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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