温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：衬底；位于衬底内的深沟结构，深沟结构与衬底反型，衬底的顶面暴露出深沟结构的顶面，衬底的底面暴露出深沟结构的底面；衬底和深沟结构的底部具有电场中止区和集电区；位于衬底和深沟结构的顶面的第一外延层；位于...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。