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本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为非晶掺钨二氧化锡透明导电薄膜及其制备方法。本发明以二氧化锡和金属钨粉末经研磨混合、压片、烧结获得的块体材料为靶材；在普通玻璃衬底上利用脉冲等离子体沉积（ＰＰＤ）技术，制备获得具有非晶结构的ＳｎＯ↓［２］...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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