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基于Ⅲ族－氮化物的场效应晶体管通过操纵材料层界面的面内晶格常数之间的关系获得了改善的性能特性。Ⅲ族－氮化物材料界面产生的高迁移率二维电子气在低导通电阻下允许高电流导电，并且可通过操纵根据Ⅲ族－氮化物的特性所获得的自发极化场进行控制。所制造的...
该专利属于国际整流器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际整流器公司授权不得商用。

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