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本发明提供一种高通量薄膜沉积设备及薄膜沉积方法。设备包括腔体、载台、靶枪、第一气体供给系统及第二气体供给系统;腔体包括相互连通的溅射部和沉积部,溅射部位于沉积部的上方,溅射部的水平表面积小于沉积部的水平表面积;靶枪位于溅射部内,靶枪上设置有...该专利属于上海集成电路材料研究院有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海集成电路材料研究院有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种高通量薄膜沉积设备及薄膜沉积方法。设备包括腔体、载台、靶枪、第一气体供给系统及第二气体供给系统;腔体包括相互连通的溅射部和沉积部,溅射部位于沉积部的上方,溅射部的水平表面积小于沉积部的水平表面积;靶枪位于溅射部内,靶枪上设置有...