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本发明公开了一种刻蚀后残留聚合物的去除方法，包括步骤：提供刻蚀后的衬底；利用含氢的气体对所述衬底进行第一等离子体处理；利用含氧的气体对所述衬底进行第二等离子体处理。本发明的聚合物去除方法在避免刻蚀结构的孔径变大的前提下，改善了刻蚀后残留聚合...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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