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本发明公开了一种制备高平坦度外延片的方法和装置，包括气态硅喷雾机构和外延底盘，所述外延底盘的顶部设置有衬底硅片，本发明涉及半导体生产技术领域。该制备高平坦度外延片的方法和装置，通过设置驱动机构驱动外延底盘间接带动其上的衬底硅片低速转动，可使...
该专利属于杭州中欣晶圆半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州中欣晶圆半导体股份有限公司授权不得商用。

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