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本发明公开了一种太阳电池，包括多个堆叠式ｐｎ结结构及多个穿隧接面层，其中穿隧接面层是位于堆叠式ｐｎ结结构之间。而且，在堆叠式ｐｎ结结构中有一个堆叠式ｐｎ结结构至少包括一层ｐ型半导体层、一层ｎ型半导体层以及位于ｐ型与ｎ型半导体层之间的一层渐变...
该专利属于财团法人工业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过财团法人工业技术研究院授权不得商用。

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