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提供了一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括执行电镀步骤，以填充形成在衬底上的凹陷。所述电镀步骤还包括：执行第一电镀步骤；执行第一反向偏置步骤；执行第二电镀步骤；执行第二反向偏置步骤；以及第三电镀步骤。所述第一和第二反向偏置步骤的极性与...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。

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