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一种混合衬底，其具有高迁移率表面以用于平面和／或多栅极金属氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）。混合衬底具有优选用于ｎ－型器件的第一表面部分，和优选用于ｐ－型器件的第二表面部分。由于混合衬底的每个半导体层中的适当表面和晶片平面取向，器件...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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