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本发明公开了一种的离子注入方法，涉及半导体领域的制造技术。该离子注入方法包括如下步骤：提供半导体基体，其包括半导体衬底、沉积于衬底上的栅氧化层以及位于栅氧化层上面的多晶硅层；在多晶硅层上面生成保护氧化层；在保护氧化层上镀光刻胶，进行曝光、蚀...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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