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ＬｉＮｂＯ↓［３］／Ⅲ族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法，采用金属有机物化学气相淀积方法在（０００１）面蓝宝石衬底上先生长ＡｌＮ／ＡｌＧａＮ等异质结构材料作为缓冲层或复合衬底；然后在此缓冲层采用高纯５Ｎ的铁电材料作为靶材，用脉冲激光沉积方...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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