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本发明提供一种DDR自适应方法及自适应电路，其中自适应电路包括主芯片、电阻RL26、上拉电阻RL169和若干个并联的下拉电阻；所述主芯片至少有一个ADC端口；电阻RL169的一端连接电压VCC，另一端连接电阻RL26的一端和若干个并联的下拉...
该专利属于广州朗国电子科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州朗国电子科技股份有限公司授权不得商用。

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