温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开的一种浅沟槽隔离结构的制造方法，包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成垫氧化层和垫氮化层；刻蚀所述垫氧化层、垫氮化层和半导体衬底形成沟槽；在所述沟槽和衬底表面沉积第一介质层；执行第一热退火步骤；在所述第一介质层表面沉积第...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。