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低位错密度GaN的生长工艺制造技术
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文档序号:3169095
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对侧向外延生长技术做一些新的改变就可以获得高质量的独自的GaN,其中3D岛或特征采用改变生长参数来获得。通过设置生长条件加强侧向生长从而获得平坦的岛(2D生长)。3D-2D生长的循环将导致穿透位错的多次弯曲,从而得到厚层或穿透位错密度低于1...
该专利属于卢米洛格股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过卢米洛格股份有限公司授权不得商用。
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