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本发明公开了一种ＧａＮ基发光二极管及其制造方法，利用有机金属气相沉积技术在衬底上生长出ＧａＮ半导体层，该层包括Ｎ型氮化镓层，发光区及Ｐ型氮化镓层；利用镀膜技术在半导体层上蒸镀一层透明导电层，该蒸镀厚度ｄ为２０００～４０００，形成透明导电...该专利属于上海蓝光科技有限公司;北京大学;上海半导体照明工程技术研究中心所有，仅供学习研究参考，未经过上海蓝光科技有限公司;北京大学;上海半导体照明工程技术研究中心授权不得商用。