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InSb薄膜磁传感器及其制造方法技术
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文档序号:3168672
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一种薄膜层压体,其特征在于, 具备:作为形成于基板上的InSb薄膜的InSb动作层、 电阻高于该InSb动作层或显示出绝缘性、能带隙大于InSb的Al↓[x]Ga↓[y]In↓[1-x-y]Sb混合晶层(0≤x、y≤1); 上述混合晶层设置...
该专利属于旭化成株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过旭化成株式会社授权不得商用。
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