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提供了一种方法，用于形成半导体组件。利用低温粘合剂将具有第一厚度的半导体衬底（２０）安装在半导体衬底（２８）上。将所述半导体衬底从第一厚度减薄到第二厚度。在半导体衬底上形成至少一个触点结构（５０），并且将高能电磁辐射（５６）指引到所述至少一...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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