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一种用于处理至少一个基底的表面的方法，其中该至少一个基底放置在处理室中，该处理室中的压力相对较低，并且由至少一个等离子体射源产生等离子体，其特征在于，在处理期间，至少一个等离子体射源（３）和／或至少一个可选设置的处理流体供给源相对于基底表面...
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