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本发明公开了一种石墨烯场发射阴极及其制备方法。该石墨烯场发射阴极包括：导电基底；呈直立状地生长于所述导电基底上的石墨烯纳米片；结合在所述石墨烯纳米片表面上的金属纳米颗粒。本发明提供的石墨烯场发射阴极能够极大增加电子发射尖端的密度以及有效发射...
该专利属于中国科学院深圳理工大学（筹）所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院深圳理工大学（筹）授权不得商用。

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