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本发明提供一种合金/磁绝缘体自旋异质结及其制备方法和应用，属于自旋电子器件技术领域。本发明使用<111>晶向的钆镓石榴石为衬底，采用液相外延(LPE)法在衬底表面生长具有高质量的Bi:TmIG薄膜，作为磁绝缘层，...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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