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一种用于确定等离子体媒介蚀刻过程期间的实时蚀刻速率的工艺过程和装置。实时蚀刻速率确定包括监测由直射光束和从晶片表面反射的光束产生的干涉图样。用于记录干涉图样的观察角度几乎平行于晶片平面，并处于将被去除的层上的固定焦点处。直射光束和反射光束是...
该专利属于艾克塞利斯技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过艾克塞利斯技术公司授权不得商用。

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