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一种便于在高压下操作的等离子体显示板的开关装置。该开关装置可由并联连接的至少一个绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）形成。该开关装置还可以由并联连接的绝缘栅双极晶体管以及金属氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）形成。该ＭＯＳＦＥＴ可用作低电流区...
该专利属于三星SDI株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星SDI株式会社授权不得商用。

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