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本发明公开了一种提高印刷碳纳米管薄膜场发射稳定性的阴极制备方法，其特征在于，该方法对银浆印刷层和碳纳米管印刷层进行共烧结处理来增加印刷碳纳米管薄膜和导电衬底之间的接触面积，进而改善印刷碳纳米管薄膜和导电衬底之间的欧姆接触和热传导性能，并使采...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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