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披露了一种用于使离子束中的离子加速／减速的加速结构和相关方法。所述结构和相关方法适用于在半导体制造过程中将离子选择性地注入工件或晶片内以对所述晶片区域进行选择性掺杂。除了使离子加速和／或减速外，本发明的多个方面用以使离子束中的离子聚焦以及偏...
该专利属于艾克塞利斯技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过艾克塞利斯技术公司授权不得商用。

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