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本发明涉及晶体材料生长领域，具体的涉及一种基于坩埚下降法生长晶体的自动控制装置及控制方法，包括以下步骤：步骤一：将晶体生长的原料放入坩埚中，控制垂直升降机构运行到原始位置；步骤二：通过信息输入器输入晶体生长工艺参数；步骤三：开启自动运行控制...
该专利属于河南微米光学科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河南微米光学科技有限公司授权不得商用。

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